某司进军光刻机的专利技术曝光
据《日经亚洲评论》报道，H公司正在青浦建设一个大型研发中心，这个研发中心将主要致力于开发光刻机。H公司的专利表明，他可以直接把FinFET ，和GAAFET 或Forksheet FET ，做进一个集成电路里。并且简化了电路的制作步骤。相比 FinFET，GAAFET 和 Forksheet FET 的漏电控制性能更强，而漏的电流越多，会导致功耗和发热越严重。GAAFET/ Forksheet FET很适合用在 5nm 制程节点之后的芯片上。但 GAAFET/ Forksheet FET 电阻会比较大，所以模拟电路，以及有高电压需求的输入输出电路，更适合用 FinFET。
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