美光全球首创1αnm内存工艺
美光全球首创1%u3B1nm内存工艺：LPDDR5容量密度大涨40％
美光今天宣布，已经开始批量出货基于1%u3B1nm工艺的DRAM内存芯片，这也是迄今为止最先进的DRAM工艺，可明显提升容量密度、性能并降低功耗。不同于CPU、GPU等新品，DRAM内存、NAND闪存的工艺节点都不使用明确的数字，而是1x、1y、1z、1%u3B1等等，越往后越先进，或者说1xnm比较接近20nm，1%u3B1nm则更接近10nm。
美光的1%u3B1nm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片，尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5，相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40％，同时还能让功耗降低15％，能让5G手机性能更好、机身更轻薄、续航更持久。
DDR4、LPDDR4甚至是未来的DDR5，同样都能使用这种新工艺，并支持智能手机、笔记本、台式机、服务器、嵌入式等各种应用设备。
美光台湾晶圆厂已经开始量产并出货1%u3B1nm DRAM内存芯片，首批是DDR4内存条，隶属于Crucial英睿达品牌，还在试产和评估LPDDR4，后续会用于更多内存类型。
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