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台积电2nm实现突破,中国巨头开始发力!国产芯片迎来新希望

送交者: MKE[★★★声望勋衔13★★★] 于 2020-09-28 0:55 已读 5680 次  

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芯片行业不仅是一个耗时久,更是一个耗资巨大的行业,这也是为什么有些芯片巨头在向下一代光刻机技术发起进攻的时候选择了放弃。数十年来,“缺芯”一直是中国IT产业所面临的困局,每年对芯片的进口要远远超过石油,虽然每年芯片行业总营收占据全球芯片总营收的13%,但国产芯片企业拿到的仅仅是一小部分,大部分的利润都流入了美国、日本、韩国等芯片企业的手中。



更因为当下日益激烈的外界环境,高端芯片、高端光刻机的进口被限制,发展国产芯片,成了一种势不可挡的趋势!日前,国家下达“铁令”,要求国产芯片自给率2025年要提升到70%,国产芯片企业更迎来了免税等优惠条件,这让国产芯片的发展进入了“黄金时期”!



近日,芯片巨头台积电传来消息称,2nm工艺芯片技术方面实现了重大突破,并且2nm工资技术将放弃之前数年来一直使用的即鳍式场效应晶体管技术FinFET,取而代之的是环绕栅极晶体管技术GAA,简单来说,GAA是FinFET技术的升级版,在芯片制造技术方面,可以使芯片面积更小,性能更强,能耗更低!除此之外,三星也传来消息,目前已经向3nm技术发起进攻,同时将提前采用GAA技术。



然而,芯片的发展遵循“摩尔定律”,当价格不变时,集成电路同样面积可容纳的元器件数量,每隔18-24个月就会增加一倍,性能也将提升一倍。台积电能在下一代芯片技术方面实现突破,从遵循摩尔定律,国产芯片企业全力开始加速,这两个角度来看,内地芯片技术虽然与全球顶级芯片制造技术相比有些差距,但短期内必然会迎来新的突破!事实也是如此!



国产芯片巨头中芯国际已经实现了14nm工艺技术后,近期媒体表示,中芯国际的N+1工艺已经进入了客户导入阶段,2020年底将会进入小规模试产,并且2021年有望量产。关于N+1工艺,与上一代14nm工艺的芯片相比,性能提升了20%,逻辑面积减少了64%,能耗降低了57%,从综合角度来看,等效台积电8nm-10nm工艺,相当于在台积电7nm工艺芯片上“砍了一刀”!



值得注意的是,中芯国际N+1工艺并不高度依赖于ASML的光刻机,虽然N+1工艺与台积电5nm,甚至未来的2nm存在一定距离,但国产芯片巨头中芯国际的发展,让我们看到了国产芯片迎来了“新希望”!除此之外,高盛集团表示,中芯N+2工艺将在2024年内实现量产,而N+2工艺,更是等效台积电5nm制程工艺,除了在智能手机领域存在一些差别,在其他电子产品领域,已经够了!



更因为有中国科技巨头华为等企业纷纷开始对芯片行业加大投资,全面扎根半导体,全力突破物理材料研究和精密制造,外加上白院长宣布将集全院力量攻克光刻机问题,相信国产芯片必然会在短期内实现自给!


每一个时代的变革都有一些企业脱颖而出,而我们恰好处于这个“风口”!解决芯片制造技术的难题,仅仅是开始,属于中国的星辰大海,已经来临!

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