【华为携中国合作伙伴申请半导体制造技术专利，力拼突破美国限制！】
​华为携手合作伙伴新凯来（SiCarrier），中国国有芯片制造设备开发商，共同申请了一项先进半导体制造方法的专利。尽管这项技术被归类为“低技术”，但其展现的潜力为中国在芯片生产技术上的进步带来了希望，尤其是在美国对中国技术发展持续设限的背景下。
​两家公司向中国国家知识产权局（CNIPA）提交的专利文件揭示，他们正在研究自对准四重成像技术（Self-Aligned Quad Patterning，简称SAQP）。这项技术有望进一步减少对高端光刻技术的依赖，并可能在没有艾司摩尔（ASML）最先进极紫外光刻机（EUV）的支持下，生产出高性能的芯片。
​据了解，SAQP技术是一种在硅晶片上多次蚀刻线条以提升晶体管密度，进而提高芯片性能的方法。华为在周五公布的专利申请中，描述了使用此技术制造更复杂半导体的新方法，并在提交给CNIPA的文件中强调：“该专利的采用将提升电路图案设计的灵活性。”
​华为的合作伙伴新凯来在去年底也获得了一项涉及SAQP的专利。其申请文件显示，该专利融合了深紫外光刻技术（DUV）、芯片制造机械以及SAQP技术，以突破5纳米芯片生产的某些技术瓶颈。该公司指出，此方法能够避免使用EUV设备，同时降低制造成本。
​然而，研究公司TechInsights的副董事长Dan Hutcheson表示，尽管SAQP技术能够帮助中国生产5纳米芯片，但从长远来看，中国仍需要接触并掌握EUV芯片生产技术。他指出，这些替代方案可以缓解当前的问题，但无法完全解决没有EUV技术所带来的挑战。
​目前，领先的芯片制造商如台积电等，都在使用EUV设备生产先进芯片，因为其能够实现高产量，从而降低每片芯片的成本。如果华为及其合作伙伴采用替代方法生产半导体，则可能会面临每片芯片成本高于行业标准的问题。
​此外，当前商业化生产的最先进芯片已采用3纳米技术，如台积电为苹果等公司所生产的芯片。中国目前具备生产7纳米芯片的能力，相较于全球领先技术落后两代。但如果能够推进到5纳米，那么与全球领先者的差距将缩小至一代。
​同时，包括华创科技和中微公司在内的一批中国芯片设备制造商也在考虑采用多种图案技术配合蚀刻系统来生产7纳米或更先进的芯片。由于EUV设备目前仍难以获取，这些公司正在探索各种可能的技术路径。
​据花旗集团分析师Jamie Wang和Kevin Chen撰写的备忘录显示：“中国的半导体企业主要依靠SAQP技术生产先进芯片，这可能会提升中国蚀刻机的使用密度。”这一趋势表明，在面临外部技术限制和挑战的背景下，中国正在努力通过自主研发和创新来提升其在全球芯片市场的地位。