某公司的EUV 的最新进展
由国内某公司领导的EUV光刻机与SMEE牵头的浸润式DUV光刻机相比,大致延迟2-3年。该公司购买的尼康iconNSR光刻机的核心部件,即激光干涉仪,已被国产塞曼-双折射双频激光干涉仪替代。经过试验,测量精度icon达到了6纳米,对校准起到了极大的帮助,进一步提升了机台的精度。此外,某公司自主研发的FinFET技术采用了扩大栅极面积的方法,使7纳米的FinFET能够与3纳米的GAA整体性能相匹敌,并且只需使用DUV技术,成本更为低廉。因此,该公司从今年开始已经开始生产等效于7纳米-5纳米的芯片。
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