国产第三代半导体的突破
2024年1月12日，深圳市至信微电子有限公司，发布1200V/7mΩ、750V/5mΩ等行业领先的SiC MOSFET芯片。全球首颗单Die可以支持到250A以上的超大电流，系统输出功率达到30kW。同时，标称1200V的该器件耐压值甚至可以达到1600V以上。其1200V/16mΩ SiC MOS晶圆的良率已经超过——85%，而1200V/7mΩ SiC MOS晶圆的良率也在80%以上。而行业中1200V/16mΩ SiC MOS晶圆的良率普遍在70%以下。至信微的1200V/16mΩ SiC MOS较行业同类产品有约20%的成本优势；预计1200V/7mΩ SiC MOS产品——将与同行保持有30%以上的成本优势。碳化硅功率器件的应用于电机驱动逆变器（电机控制器），以及车载电源系统。新能源车高电压快充热损小，可行性高。受益环节包括：电池和电控，前者升级硅基负极和碳纳米管，以达到4C充放电倍率。后者升级碳化硅（SiC），替代IGBT，以升级电驱动。碳化硅MOS替换硅基IGBT后，会获得电机控制器的效率的提升，对电池续航的贡献提升在3%-8%之间，所以电控应用对碳化硅的需求最为迫切。碳化硅肖特基二极管、SiC MOSFET 器件则主要应用于车载OBC、DC/DC、空调系统，主要影响充电效率和辅助系统用电效率、开关频率等。
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这个叫功率半导体吧？ (无内容) - ksusey (0 bytes) 01/17/24
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