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下一步，用DUV干到3nm？

送交者: 山村听雨[★★★声望勋衔13★★★] 于 2023-11-11 17:22 已读 641 次

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DUV的极限是7nm吗？

一篇CSTIC（中国国际半导体技术大会）的文章讨论了用DUV，加上6层光罩做到3nm的可能性。

有意思的是，这篇文章不是纯理论的，它甚至讨论了技术细节、估算了成本，并与EUV进行了对比。

在魔改现有光刻机和流程的情况下，相信做出3nm级别的芯片不奇怪，但是中间需要解决的工程问题也是艰巨。

据说就是华为在搞，DUV 5nm已经搞定了，明年量产9100系10系，3nm的规格路线也规划好了，现在正在突破。大概是说DUV可以干到19nm线宽，台积电的3NM是24的线宽。所以理论上用DUV是可以的。

搞不好就是阿斯麦吹牛，7纳米只能用EUV做，说是产品更新换代了，大家都用这款，其实DUV也可以，它的升级款并没有它吹的那么神，说升级了，其实并没有，就像iphone13/14/15 一样

DUV成本优势大，光用电量一项就成本低得多

贴主:山村听雨于2023_11_11 17:25:04编辑

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