ASML宣布新款EUV设备打出第1道光
ASML宣布新款EUV设备打出第1道光ASML与英特尔本周宣布，达成新一代极紫外光微影设备（High NA EUV）的重要里程碑，其最先进High NA EUV曝光机Twinscan EXE:5000的主要元件已经启动，也就是首度打开光源，使光线到达晶圆上的抗蚀层，并开始运作，这表示光源和反射镜已正确对准。
据报道，ASML 的 High-NA EUV 曝光机将提供 0.55 数值孔径的投影光学器件，单次曝光解析度可低至 8 纳米，比单次曝光 13.5 纳米解析度的典型 Low-NA EUV 还低。第一套系统目前安置在 ASML 荷兰实验室，第二套系统正在英特尔奥勒冈厂组装。
ASML 发言人表示，就技术而言，这种“第一束光”实际上是“晶圆上第一束光”，表示光源已经开始工作，现在我们在芯片上“抗蚀”光子。 ASML 专家仍在荷兰校准 High-NA 工具，因此该机器尚未列印出第一个测试图案。英特尔技术开发总经理首度透露这一进展，预计这些新系统将主要用于制程开发。
报道称，这项里程碑被称为“矽片上的第一道曙光”，表明ASML和英特尔在推进半导体制造技术迈出重要的一步，预计未来几年英特尔、台积电和三星等，都将采用 High-NA EUV曝光技术。ASML的High NA EUV设备，大小约一辆双层巴士、重量约两架空巴A320客机，价值高达3.5亿欧元，ASML称已获得10到20笔订单。
今年初，ASML证实荷兰政府撤销了部分向中国出口设备的许可证，其中包括光刻机。知情人士称，阿斯麦是应美国拜登政府的要求，在这种高端芯片制造设备出口禁令生效前几周，取消部分设备向中国销售。2023年10月，美国宣布新规定，如果阿斯麦的光刻机含有任何美国的零部件，华盛顿就有权限制其出口。
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