中国最新半导体工艺进展
国内7nm工艺，细分为三种： N+1：密度差不多0.9亿每平方毫米，去年完成去美。N+2: 密度超1.2亿每平方毫米，今年完成去美 。N+2plus：密度超1.4亿每平方毫米，已于去年下半年量产，准备明年完成去美。
由于加持了某司自研的FinFET晶体管技术：N+1：性能相当于台积电N7，N+2:性能相当于台积电N4，N+2puls：性能相当于台积电N5P。
下一代的Hi36CO，除了国内芯片厂代工，用 N+2plus，某司自己的工厂也会生产。TechWire
Asia援引《证券日报》的报道称，中国最成功的光刻机制造商SMEE本周重申，计划在今年年底前交付其首款193nm波长浸没式DUV。此种光刻机将是中国自主研发的最先进的机器，可以满足一些高端芯片（如CPU、GPU、FPGA等）和大规模芯片（如DRAM、NAND等）的生产需求。
目前看来，SMEE即将推出的28纳米节点SSA/800-10W光刻机将交付给SMIC或一家芯片研究机构。然而，考虑到SMEE在某种程度上仍依赖某些外国零部件，是否能批量交付这种机器仍有待观察。
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