中心国际正式官宣!光刻工艺迎来新突破,高端芯片国产化不远了
中芯国际的工艺突破我国半导体产业发展,大部分的资源都是偏向于芯片设计,在芯片制造领域,反而未能达到高端7nm,5nm级别。
因为芯片制造的难度远远超过了芯片设计,如果说芯片设计是“纸上谈兵”的话,那么芯片制造就是把这些难度非常大的芯片设计图给制造出来。有时候拿不到好的光刻机设备,是很难攻克高端芯片了。
有了高端光刻机还不够,还要有技术,不然就等于让一个刚学会用键盘的人去开发程序,明摆着力不从心。
而国内最大芯片制造商中芯国际已经在一步步向前迈进,继N+1工艺完成流片和测试后,这一次中芯国际正式宣布,14nm工艺的良率达到了业内量产水准。
11月11日,中芯国际发布了第三季度财报,数据显示第三季度营收10.8 亿美元,环比增长 15.3%,同比增长 32.6%。就在此次的财报业绩会上,中芯国际表示14nm工艺自去年第三季度量产以来,良率已经达到了业内的量产水准。
今年中芯国际的研发任务基本完成了,包括客户对中芯国际的信心也在大大增加。
此次中芯国际光刻工艺迎来新突破,良率达到业内的水准,是非常大的进步。
工艺突破的意义中芯国际在取得出色营收成绩的同时,也将14nm量产工艺提升到业内水平。据悉,中芯国际是在去年第四季度才正式量产14nm。
虽然14nm和高端的5nm仍然有数代制程差距,但14nm已经能满足生活中很多需求了。而且工艺突破的意义也是非常重要。
首先第一个,距离高端芯片更进一步。此前中芯国际等同于7nm的N+1工艺已经完成了流片和测试,全IP国产化。N+1是中芯国际第二代14nm工艺,比第一代14nm工艺提升了20%的性能。
功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SOC面积减少了55%,所以N+1是等同于7nm芯片的工艺水准。
如今第一代已经能稳定量产,且达到业内水平,而第二代也完成流片和测试,可见距离高端芯片国产化不远了。
第二个,极大满足生活需求,有望实现70%芯片自给率目标。高端芯片的市场范围主要是在电子消费产品上,这部分的需求大概占据国内一成,剩余的九成靠14nm都能满足。
而且我国定下的70%芯片自给率也有望完成,到时候就不会过度依赖国外进口芯片了,因为我们可以自己造。
国产芯片的路在芯片制造上,中芯国际取得了重大工艺进展,可能在未来5年内,就能突破高端7nm工艺,在未来10年,进军5nm。
国产芯片的路还很长,虽然中芯国际今年的研发目标已经完成,但距离成为世界一流水平,显然还有一段路要走。
但这并不是问题,台积电能成为世界领先,也是用了33年世界,英特尔成为世界巨头,更是发展了52年。他们的例子告诉我们,只有经得起时间的考验,才能站到最后。中芯国际发展了20年,就已经在现有的技术范畴内,做到了业内水平。
国产芯片的路是漫长的,但也是坚定不移的,相信走到最后,前途会更加光明。
总结现在看高端芯片可能遥不可及,但那些世界一流的芯片制造企业,也是从低端转为高端。中芯国际是国内最大的芯片代工厂,为了扶持芯片半导体,最高给予十年免税的待遇。
在国内半导体产业的扶持下,中芯国际的工艺技术,进步还能更快。外界的不稳定因素可以共同面对,内部的技术缺陷可以一起攻克。把芯片这处的技术缺口给填补上,打造坚实的技术壁垒
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