周日。谈一些轻松的话题——芯片领域的deepseek时刻即将到来。
一个非常值得关注的消息：
世界首款 1纳米 RISC-V 芯片由中国研发，采用二维材料制成，相关论文已经发表在Nature上。其最显著的突破在于：芯片的制造过程不依赖先进的极紫外（EUV）光刻技术，为中国在半导体创新方面开辟了一条全新的独立路径。
这项基于二维材料的1纳米RISC-V芯片研究成果，是由中国复旦大学的研究团队取得的。​该团队由周鹏和包文中两位教授领导，隶属于复旦大学集成电路与系统国家重点实验室。
★第一个问题：技术足够先进吗？
什么是二维材料？是指只有一个原子厚度的晶体结构，包括石墨烯（Graphene）、二硫化钼（MoS₂）、黑磷（Black Phosphorus）、氮化硼（h-BN）等
一直以来，传统硅基晶体管在5纳米以下就会遇到尺寸极限、功耗瓶颈与隧穿效应；而二维材料超薄、电子迁移率高、可形成短沟道晶体管，可在1~2纳米尺度维持电流控制能力；
这是全球公认的“后硅时代材料”，决定未来芯片是否还能继续进化。
在研究二维材料领域，中国、美国、韩国是当前最活跃的三极，中国在材料种类与器件集成方面极具竞争力。
根据Nature、Science、ACS Nano 等期刊统计，中国在二维材料领域论文数量和被引次数连续5年居全球第一。
✔截止目前：
2023年底，清华团队与中科院合作完成基于MoS₂的1nm栅长晶体管；
2024年，龙芯团队宣布基于二维材料 + RISC-V的处理器已完成小规模流片；
已突破二维晶体、沟道控制、栅极材料、低功耗设计等关键环节。
关键是：中国是全球唯一一个将二维材料研究推进到“芯片级系统集成”的国家。
★第二个问题：这个技术有什么意义？
我想说的是，这个1纳米二维材料芯片+RISC-V的组合，可以说具有类似deepseek打破美国AI壁垒的意义。
现在，全球主流路径——仍围绕硅基、EUV 和 GAAFET 技术。
这些路线大多以现有硅工艺为延续，目标是继续服务智能手机、PC、服务器的主流市场，以Arm/x86架构为主。
而硅基路线现在最先进的是2纳米技术。
长久以来，美国垄断了整个半导体产业的全链路环节：
✔它的模式是——“传统硅基 + 封闭专利 +全链路技术控制”
（技术策略）限制其他国家研发/市场独占+（知识产权）专利控制/限制授权 +（商业逻辑）高壁垒/高利润+（地缘战略）技术制裁工具
✔而中国破局所采用的路线是——“新材料 + 开源架构 + 去美生态”
（技术策略）材料突围 /系统自主+（知识产权） 开源路线/自主研发+（商业逻辑）高迭代 /快部署 /去依赖+（地缘战略）技术共享
而这个1纳米+RISC-V的组合，它所代表的是中国破局路线的一个成功的“半成品”。
千万不要小看这个半成品，它意味着这条破局路线已经看到了隧道尽头的阳光。
而在这条全面去美化的自主创新之路上，中国还将建立与美国平行的芯片生态圈——不只是硬件突破，还将形成国产工具链、编译器、OS、训练框架、模型库的完整闭环。
最关键的是，美国的道路已经走到了技术发展的尽头，而中国的这条道路，是未来世界芯片技术的正确路径，而在这条路上，我们不仅不落后，而且还在不断的领先。
★最后，未来会如何？我们距离沐浴在阳光下，拥抱自由的风还有多长时间？
我的想法是：2026年会是一个分水岭。
在2026年前，美国依然会保持对中国的压制。因为从芯片制程、生态压制上仍有效，而更加严格的出口管制也会干扰中国发展速度。
而在2026—2030年，中国的平行生态会逐步成熟，RISC-V、2D材料将步入收获期，美国将无法完全围堵和压制。
而在2030年以后，随着新一代芯片的全面量产和良率提高，架构、生态主权构建完成，中国可以基本实现半导体产业的去美化。
当中国正以举国之力投入芯片以及半导体产业时，美国商务部正在准备取消《芯片法案》的补贴。而关税大战和未来的关税壁垒，会进一步削弱美国科技企业的盈利能力，在股票回购维持股价/技术研发投入上捉襟见肘。
我在很多文章中表达过一个观点，中美技术竞争的过程中，中国最大的优势是制度优势。而对于美国而言，在科技发展上，制度已经成为严重的阻力。
相信未来，未来可期。
大家早安。