进步神速,中芯国际N+1代工艺年底小批量试产
作为中国大陆最大规模的芯片代工企业,中芯国际的每一步工作都深受关注。
最近有媒体报道,在大规模量产14nm工艺后,中芯国际的N+1代工艺已经进入客户导入阶段,可望于2021年进入量产。
对此,中芯国际回应称,该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产,第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。
按照这样的时间表推测,中芯国际N+1代工艺确实会在2021年规模量产。
业内人士称,作为第一代FinFET技术的升级版,中芯国际第二代FinFET N+1技术将正式突破14nm制程的限制,成为中国大陆首家打入10nm及以下工艺制程的厂商。
根据中芯国际此前所说,N+1工艺相比14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%、SoC面积缩小55%,之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。
当然了,中芯国际并没有明确N+1、N+2工艺具体相当于xxnm工艺,之前一度传闻是7nm工艺,不过中芯国际澄清说N+1并非等于7nm,只是内部代号,其20%的性能提升比业界标准的性能提升35%要差一些
但是综合其他指标来看,中芯国际的N+1工艺尽管性能弱于7nm,但功耗、成本、稳定性等其他方面并不差,可以将成本相对市场上的7nm减少大约10%,因此是一个非常特殊的工艺节点。
这也意味着中芯国际将会进一步缩小与台积电、三星等芯片代工巨头之间的差距。
值得提的是,如今三星确认拿下了高通骁龙 875的全部订单,也表示其5nm工艺基本上完善,与台积电 5nm 芯片代工的竞争也正式开始。而台积电也传来消息称已合作大客户Marvell公司(一家专注于数据基础设施半导体解决方案的企业)。
虽然中芯国际即将进入高端芯片制造领域,但由于光刻机等核心设备仍需依赖进口,因此对于中国芯片企业而言,未来还有很长的路要走。
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