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DRAM霸主宝座不稳？美光、长鑫存储“左右夹击”撼动韩企垄断！

送交者: chentom60[☆★★声望品衔11★★☆] 于 2025-03-30 18:36 已读 372 次

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3月30日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，使韩国成为半导体强国的DRAM市场正掀起一股强烈的变革之风。三星电子和SK海力士多年来垄断的技术领先趋势正在被美国美光和中国长鑫存储的崛起所动摇。

据业界透露，三星电子和SK海力士仍占据全球DRAM市场75%以上的份额。然而，美光最近突破了行业第三的限制，技术开发速度快于三星电子，长鑫存储也正在迅速扩大份额，试图重塑市场格局。

根据市场研究机构Trendforce最近的一份报告，三星电子和SK海力士去年第四季度的市场份额分别为39.3%和36.6%。美光以22.4%紧随其后，但考虑到最近的技术发展速度，追赶很可能会全面展开。

美光最近宣布，已向英特尔和AMD等主要客户提供了第6代10纳米级DRAM样品。这意味着已经处于量产前的阶段，实际上已经做好了商业化的准备。

值得注意的是，三星电子原先量产10纳米级第六代DRAM的计划至今仍未实现。

SK海力士于去年8月全球首次完成了第六代DRAM的开发，但预计要到今年下半年才能全面量产。

美光在高带宽存储器（HBM）市场也表现出快速发展，该市场已成为AI加速器的关键组件。美光于去年2月开始向英伟达供应第五代HBM（HBM3E）8层产品，12层产品也于去年下半年准备就绪。

另一方面，三星电子尚未进入英伟达的供应链。三星电子正在本月进行HBM3E 8级产品的最终审批测试，但由于时间表的推迟，三星电子可能会错过抢占市场的机会。

中国的长鑫存储也在快速增长，并试图改变全球DRAM市场的格局。长鑫存储的市场份额已从2020年的不足1%增至去年的5%，今年年底有望扩大至12%。

长鑫存储正在通过大规模生产传统DRAM来降低价格，预计这将导致供应过剩，并影响三星电子和SK海力士的盈利能力。

特别是，长鑫存储正在积极进入HBM市场。第二代（HBM2）和第三代（HBM2E）产品已经在量产中，并且随着最近“Deepseek”之后低成本AI模型开发的增加，对旧HBM产品的需求正在扩大。以此为契机，长鑫存储很有可能进一步增强其在市场上的影响力。

行业专家指出，长鑫存储的快速崛起与韩国在20世纪80年代和90年代超越日本的方式类似。当时，韩国凭借价格竞争力和技术进步压倒了日本半导体公司。目前，长鑫存储在中国国内市场的基础上快速增长，在全球市场的份额也在扩大。

三星电子与SK海力士正大力推进超精细制程与先进封装技术的研发，以保持技术优势，但面对美光与长鑫存储的激烈挑战，能否保持市场领先地位仍不得而知。