新的光刻技术路线？
中科院最近采用LBO晶体的复杂两级和频生成工艺，制造出了具有窄线宽的193纳米固态DUV激光器。混合ArF准分子激光器是一种创新技术，它集成了窄线宽固态193纳米激光种子，能够在保持窄线宽的同时增强相干性，从而提高光刻的性能。这种激光器不仅提高了图案精度，还加快了光刻速度。它的光子能量和相干性更高，能够直接加工各种材料，包括碳化合物和固体，同时热影响最小。
2023年年底SMEE生产的193纳米ARF浸润式DUV已经通过芯片厂试生产考核，该DUV通过多重曝光能生产14nm至7nm不计成本能搞到5纳米。如果193NM光源做成全固态的，那真的是进步很大，而且是颠覆性的。在同等技术参数下，会挤兑掉ASML的设备。
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