重磅!某司今年已经开始生产等效5纳米芯片
三维集成可以采用相对落后的设备(尤其是不需要EUV光刻)达到<7nm等效,较为适合我国现状,该研究中心由南方科技大学牵头,联合深南电路、广东省科学院半导体所等单位共同建设。
某司自研的finfet,通过扩大栅极面积,7纳米finfet的整体性能可以与3纳米GAA相媲美,并且只需DUV来做,某司今年已经开始生产等效5纳米芯片。而在7nm以下的先进工艺研究上,某司的应对方法是一边参与甚至主导国产EUV光刻机研发,另一边是继续魔改尼康NSR光刻机,比如把光源换成157nm提升套刻精度,换激光干涉仪(国产塞曼双折射双频激光器)。去年QL旗舰芯片的工艺节点等效台积电的7nm工艺,也跟中芯的 N+2P工艺类似。等效台积电6nm的QL芯片今年下半年将会量产,项立刚曾表示DUV换先进光源往下工艺迭代也能达到EUV水平,鼓吹EUV是台积电和ASML的阴谋,国产浸没式DUV生产的QL芯片大概率25年就会上市,该芯片通过自研架构+先进封装的方式在明年将追上当时主流旗舰芯片的性能。
贴主:chentom60于2024_02_23 16:03:26编辑
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