长鑫存储已申请了多项专利涉及HBM芯片制造和功能 -6park.com

长鑫存储已申请了多项专利涉及HBM芯片制造和功能

送交者: chentom60[☆★★声望品衔11★★☆] 于 2024-05-16 6:56 已读 1172 次

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据Anaqua的AcclaimIP数据库，长鑫存储已在美国、中国及中国台湾地区申请了近130项专利，涉及HBM芯片制造和功能相关的不同技术问题，其中超过一半的专利于今年申请，也涉及开发HBM3所需的技术。

公司2023年营收90亿人民币，整体产能向G3工艺平台转移。预计2024年年营收达到300亿元，将占全球10%的份额。
中国最大的DRAM芯片制造商C与芯片封装测试公司TFWD合作开发了 HBM芯片样品。这些芯片正在向客户展示。

据DigiTimes报道，合肥新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片，初始的月产能已达到10万片晶圆。新工厂二期扩建将在2024年底前完成，每月增加4万片。三期共建设三座12寸DRAM存储器晶圆厂，预计满产后产能可达36万片/月。北京工厂也会提升产能。

CXMT还签约了集成电路制造基地，有1500亿元的存储单体项目，还将投资700亿元建设空港集成电路配套产业园和空港国际小镇。布局芯片设计、装备、材料、封测和智能终端等上下游产业配套。

深科技和CXMT有合作，收购沛顿之后，去合肥盖了个新厂，给CXMT专业做内存条封装测试。

贴主:chentom60于2024_05_16 6:58:53编辑

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